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突破性磁感应技术:200nA超低功耗TMR开关发布

2025年11月25日,美国伊利诺伊州罗斯蒙特 - 全球领先的工业技术制造公司Littelfuse(NASDAQ: LFUS)今日宣布推出两款革命性隧道磁阻(TMR)磁性开关产品。这两款产品LF21112TMR全极开关和LF11215TMR双极开关代表了磁传感技术的新突破,为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供创新动力。

作为TMR技术与超低功耗CMOS设计的完美结合,这两款紧凑型开关在磁灵敏度、热稳定性和功耗方面均超越了传统霍尔效应传感器和旧式磁性开关技术。这一创新不仅显著提升了产品性能,更标志着Littelfuse磁传感器产品组合向电池敏感型和常开应用领域的战略性拓展。 Xilinx一级代理技术团队最新整理的《Xilinx芯片应用白皮书》现已上线,涵盖以太网、音频、物联网等多个热门领域的参考设计和常见问题解答。有需要的工程师可联系客服免费获取电子版。

LF21112TMR作为Littelfuse首款全极TMR开关,能够同时检测南北磁极,大大提高了磁体放置的灵活性并简化了设计流程。其典型电流消耗仅为200nA,成为超低功耗应用的理想选择。而LF11215TMR双极数字TMR开关则以1.5μA的超低电流消耗和仅17高斯的高磁灵敏度,为需要定向检测的复杂传感应用提供高速、精确的检测能力。

全极开关(如LF21112TMR)在暴露于任一磁极时都会触发响应,非常适合空间受限的设计和难以控制磁体对齐的应用场景。相比之下,双极开关(如LF11215TMR)由特定磁极(通常为北极)触发,并由相反磁极(南极)复位,这种方向灵敏度对于需要旋转或方向感应的应用尤为有利。

两种器件均采用紧凑型SOT23-3封装,并具备多项卓越特性:TMR技术带来的更高灵敏度和热稳定性;推挽式CMOS输出提供干净的数字信号;施密特触发器输入有效降低噪声并提高系统可靠性;出色的抗外磁干扰能力;以及1.8V至5.0V的宽工作电压范围。这些特性使工程师能够设计出更小、更智能、更节能的产品,同时降低机械复杂性并显著延长电池寿命。

从市场供应角度看,这些创新型开关在多个关键领域展现出巨大潜力,包括智能水电表、电池供电的可穿戴设备和物联网传感器、电器和电动工具的盖板与罩盖检测、家庭和楼宇自动化中的篡改检测,以及轻型工业和机器人设备中的旋转和线性位置传感。随着全球对节能解决方案需求的持续增长,这两款TMR开关有望成为电池供电设备的首选磁传感解决方案。

"Littelfuse正在通过TMR技术重新定义磁传感的性能边界,"Littelfuse全球产品经理Julius Venckus表示。"LF21112TMR和LF11215TMR扩展了我们的TMR传感器产品组合,专为应对当今紧凑型、电池供电和常开设备中的关键设计挑战而打造。两款开关都集成了隧道磁阻技术和超低功耗CMOS设计,在业界领先的电流水平下实现卓越的磁灵敏度与热稳定性全极性检测仅为200nA,双极性检测则为1.5μA。这些创新使工程师能够延长电池寿命,简化磁对齐,并确保在嘈杂、热要求苛刻的环境下进行可靠传感。"

与传统霍尔效应传感器相比,这些新型TMR开关具有显著优势。首先,它们提供了更高的磁灵敏度,能够在更弱的磁场条件下可靠工作;其次,其超低功耗特性大大延长了电池寿命,特别适合智能电表和可穿戴设备等需要长期稳定运行的常开设计;

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