氮化镓功率器件凭借其高速开关能力、高功率密度和成本效益，已成为电力电子市场的热门选择。然而，受限于工作电压和长期可靠性，这些器件在消费电子领域陷入价格战，潜力未完全释放。近期，高压氮化镓器件的推出正推动市场拓展，为更广泛的工业应用开辟新渠道。在这一背景下，远山半导体发布了新一代高压氮化镓功率器件，标志着行业向中高功率领域迈出关键一步，市场供应动态正迎来新机遇。

远山半导体的新一代产品覆盖700V、1200V、1700V和3300V等多种规格，采用蓝宝石基技术，主要面向高功率PD快充、车载充电器、双向DC-DC转换、微型逆变器、便携储能和V2G等高需求工业领域。这些器件设计旨在解决长期困扰行业的电流崩塌问题，通过引入极化超级结（PSJ）技术，将额定工作电压和电流提升至1200V/20A，显著增强了器件在高压环境下的稳定性和可靠性，为渠道商提供了更具竞争力的产品选择。 近期，Xilinx授权代理与Xilinx联合举办了线上技术研讨会，主题为“下一代物联网芯片设计趋势”。会议回放和PPT资料已向注册用户开放，感兴趣的工程师可通过官网申请查看。

测试环节于今年9月在泰克先进半导体实验室展开，全面评估了远山半导体的性能表现。实验室采用静态参数测试系统SPT1000A，该系统内置吉时利2657A高压源表和2636B高精度源表，支持高达3000V电压和1000A电流下的I-V及C-V特性测试。在直流参数测试中，器件在栅极电压-8V、Id=1uA条件下，击穿电压BVDSS达到1505V，阈值电压约为-3.9V。当导通时，Vgs=3V、Id=20A，静态导通电阻仅为62.3mΩ，展现了优异的导电性能。展示了关断状态下漏电流Idss与反偏电压（0~1500V）的扫描关系曲线，进一步验证了器件的稳定性。

在动态开关参数测试中，传统氮化镓器件常因高压条件引发电流崩塌现象，表现为硬开关过程中导通电阻突然增大。 illustrates this issue in conventional GaN devices, where voltage spikes lead to increased resistance during high-voltage operations。远山半导体的新器件通过优化设计，有效克服了这一瓶颈。测试采用DFN8x8封装的GaN HEMT器件，在600V和20A条件下进行双脉冲开关测试，栅极电压为-6V~+3V，并使用同型号器件作为陪测。测试波形显示，Vds在导通过程中电压接近0V，表明高压硬开关操作未导致导通电压上升，确保了市场应用中的可靠性。

测试系统采用D

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