随着人工智能与高性能计算的快速发展，服务器和数据中心对供电系统的需求日益严苛。2025年9月11日，国际领先半导体元器件分销商大联大控股宣布，其旗下诠鼎集团基于英诺赛科(Innoscience)的InnoGaN氮化镓功率器件，成功推出两款48V四相2kW降压电源方案，为高性能计算和新能源汽车等领域提供创新的电源解决方案。

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当前，全球服务器供电架构正加速从传统的12V向48V系统升级，以应对AI和高性能计算带来的功率需求激增。然而，服务器内部空间有限，传统电源方案难以实现从48V到12V的高效转换。这一背景下，大联大诠鼎推出的48V四相2kW降压电源方案，通过采用英诺赛科先进的氮化镓器件，成功实现了高功率密度和高效率的完美结合。

英诺赛科InnoGaN INN100EA035A氮化镓功率晶体管和INS2002FQ氮化镓半桥驱动IC的采用，使这两款方案在性能上实现了显著突破。与传统的硅MOSFET相比，GaN器件具有更低的开关损耗和更高的开关频率，不仅能实现更高的转换效率，还能减小磁性器件和滤波电容的尺寸，进而大幅提升功率密度。

在具体实现上，这两款方案均采用四相交错Buck拓扑结构，每相配置1颗英诺赛科100V氮化镓半桥驱动IC INS2002FQ和4颗100V双面散热的低压氮化镓功率晶体管INN100EA035A。INN100EA035A采用创新的En-FCLGA封装技术，颠覆了传统的单冷却封装热管理方式，有效降低器件工作结温，同时具备超低导通电阻，显著减少能量损耗。

INS2002FQ则采用英诺赛科自研的FCQFN 3mm×3mm封装，专为驱动GaN而设计。该器件集成了自举与BST钳位电路，支持独立上拉和下拉输出引脚，可分别调节开通和关断速度，同时支持三态PWM输入，灵活调节死区时间，实现低延迟和高驱动能力，非常适合高功率和高频率的应用场景。

两款解决方案分别采用双耦合和四耦合电感设计，将传统Buck方案中的分立电感替换为低耦合系数的耦合电感，有效降低电感纹波电流，同时减少电感和电容体积，进一步提升系统功率密度。在40Vdc-60Vdc输入、12V/167A输出的条件下，两款方案的最大输出功率均达到2000W。其中，采用双耦合电感设计的方案峰值效率为98%@1200W，满载效率为97.6%@2000W；而四耦合电感设计方案的峰值效率提升至98.1%@1000W，满载效率为97.7%@2000W。与市场上性能优异的Si MOSFET方案相比，这两款方案的峰值效率和满载效率均提升了1%以上。

这两款48V四相2kW降压电源方案凭借其超高效率和功率密度，特别适用于48V服务器系统、新能源汽车动力系统以及通信模块等对电源性能要求极高的应用场景。随着数据中心和电动汽车市场的持续扩张，这类高效电源解决方案将在未来几年内展现出巨大的市场潜力和商业价值。

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