2024年10月23日，德国慕尼黑讯全球功率半导体领导者英飞凌科技股份公司宣布推出CoolSiC肖特基二极管2000V G5系列，这是业界首款击穿电压达2000V的分立碳化硅二极管。该产品专为高直流母线电压应用打造，支持链路电压高达1500 VDC，额定电流覆盖10A至80A，为光伏发电、电动汽车充电等高功率场景提供了高效解决方案。市场分析显示，这一突破性进展将助力工业应用实现更高功率密度，同时降低系统损耗。 近期，Xilinx总代理与Xilinx联合举办了线上技术研讨会，主题为“下一代物联网芯片设计趋势”。会议回放和PPT资料已向注册用户开放，感兴趣的工程师可通过官网申请查看。

该系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，具备14mm爬电距离和5.4mm间隙距离，显著提升了功率密度。通过减少元件数量至传统1200V SiC解决方案的一半，设计人员可轻松从多电平拓扑过渡至2电平结构，大幅简化整体电路布局。这一优化不仅降低了设计复杂度，还提升了系统可靠性，尤其在渠道动态中，简化了高功率应用的开发流程。

在技术层面，CoolSiC肖特基二极管2000V G5采用先进的.XT互连技术，有效降低热阻和阻抗，强化了热管理能力。同时，通过HV-H3TRB可靠性测试验证了其对湿度的高耐受性，确保长期稳定运行。该二极管无反向或正向恢复电流，并具有正向低电压特性，进一步优化了系统性能，满足工业应用对高效能的严苛要求。

英飞凌表示，该2000V二极管系列与2024年春季发布的TO-247Plus-4 HCC封装CoolSiC MOSFET 2000V完美适配，形成完整解决方案。产品组合计划扩展至TO-247-2封装，预计2024年12月推出，并配套提供匹配的栅极驱动器，增强市场供应灵活性。这一举措瞄准了高增长领域，如可再生能源和电动交通，推动行业创新。

目前，采用TO-247PLUS-4 HCC封装的CoolSiC肖特基二极管2000V G5系列及其评估板已全面上市，为设计人员提供即用型支持，加速产品开发进程。

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