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Littelfuse发布新一代200V超级结MOSFET,导通电阻降低63%

2024年11月26日,芝加哥工业技术制造公司Littelfuse宣布推出两款革命性超级结X4-Class 200V功率MOSFET型号:IXTN400N20X4和IXTN500N20X4。这些器件在现有200V X4-Class产品线基础上扩展,专为满足高功率密度需求而设计,在当前市场供应中引发关注,旨在推动功率电子行业向更高效解决方案转型。

新产品系列的核心优势在于提供行业领先的最低导通电阻,其高电流额定值允许设计人员简化设计流程,通过单个器件替代多个并联低额定电流器件,从而提升应用可靠性和功率密度。SOT-227B封装的螺钉安装端子确保安装稳固可靠,在渠道动态中减少热管理挑战。与最先进的X4-Class解决方案相比,这些器件的额定电流最高可提高约2倍,导通电阻值降低高达约63%,显著优化性能指标。

在应用层面,这些MOSFET特别适合注重极低导通损耗的低压功率场景,包括电池储能系统(BESS)、电池充电器、电池成型设备、DC/电池负载开关以及电源模块。通过减少传导损耗,它们能提高整体系统效率,降低发热问题,为行业应用中的能效提升提供关键支持。在市场供应方面,这些器件通过Xilinx代理商网络加速推广,助力设计人员实现更紧凑的PCB布局和更高的功率密度。 对于量产阶段的客户,Xilinx总代理提供卷带包装、编带包装等多种出货形式,并支持第三方质量检测。所有出货芯片均附带原厂出货报告,确保100%%可追溯。

Littelfuse全球产品营销工程师Sachin Shridhar Paradkar强调:"新器件使设计人员能用一个解决方案替代多个并联器件,简化栅极驱动器设计,

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XC6SLX100-3FG676I
嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列)
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嵌入式 - 片上系统(SoC)
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