
2025年7月29日,全球电子元器件行业迎来重要技术突破。美国宾夕法尼亚MALVERN及中国上海同步宣布,Vishay正式推出三款采用超小尺寸薄型SlimSMA HV(DO-221AC)封装的全新第三代碳化硅(SiC)肖特基二极管。这一系列产品型号包括2 A的 VS-3C02EJ07-M3、1 A 的VS-3C01EJ12-M3以及2 A的VS-3C02EJ12-M3,标志着高压功率半导体领域的重要进展。
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市场分析人士指出,此次发布的三款SiC肖特基二极管采用先进的合并PIN肖特基(MPS)设计,最小爬电距离达到3.2mm,显著增强了电绝缘性能。技术团队表示,其SlimSMA HV封装采用CTI 600的模制化合物,确保了出色的电绝缘性,同时在空间受限的应用中展现出明显优势这些二极管厚度仅为0.95mm,远低于类似封装尺寸的SMA和SMB封装竞品的2.3mm厚度,为紧凑型设计提供了更多可能性。
在性能方面,这些新型二极管展现出卓越的电气特性。与传统硅二极管不同,VS系列产品在任何温度下都能保持低至7.2 nC的容性电荷,这一特性大大加快了开关速度,降低了功率损耗,从而提高了高频应用的效率。此外,这些器件几乎没有恢复尾电流,进一步提升了整体效率。其MPS结构设计使得正向压降低至1.30V,同时正温度系数的特性也便于在并联应用中实现稳定工作。
行业应用领域,这些第三代SiC肖特基二极管展现出广泛的应用前景。典型应用包括服务器电源中使用的DC/DC和AC/DC转换器的自举二极管、防并联二极管和PFC二极管;发电和存储系统;工业驱动器和工具;以及X射线发生器。特别是在高温环境中,这些器件工作温度高达+175°C,满足了严苛工业环境的需求。
从供应链角度看,这些新型二极管已通过多项国际认证,符合RoHS标准,无卤素,湿度灵敏度等级为1,符合J-STD-020标准,并满足JESD 201第二类whisker测试要求。目前,这些二极管样品已可提供,并已实现量产,市场供应周期为14周,预计将为多个行业带来能效革新的解决方案。
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