荷兰奈梅亨，2024年8月7日电 - 全球领先的半导体供应商Nexperia今日宣布，公司正在持续扩展其NextPower 80V与100V MOSFET产品线，并推出了多款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的LFPAK封装器件。这些新型MOSFET针对低导通电阻(RDS(on))和低反向恢复电荷(Qrr)进行了专门优化，为电源设计带来了更高的灵活性。

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随着电子设备对能效要求的不断提高，Nexperia的新型NextPower MOSFET为服务器、电源、快速充电器、USB-PD以及各类电信和工业电机控制应用提供了卓越的性能表现。工程师可根据具体需求，在80V和100V器件间进行选择，RDS(on)范围覆盖1.8 mΩ至15 mΩ，为不同功率等级的应用提供了丰富选择。

在MOSFET性能评估方面，许多制造商过分关注栅极总电荷(QG(tot))和栅极延迟电荷(QGD)对效率的影响。然而，Nexperia通过深入研究指出，反向恢复电荷(Qrr)同样至关重要，它直接影响开关过程中的尖峰表现和电磁干扰(EMI)水平。通过优化这一关键参数，Nexperia显著降低了其NextPower系列80/100V MOSFET的尖峰电流和EMI辐射，为客户节省了为满足EMC要求而增加额外外部组件的高昂成本。

与市场上现有器件相比，这些新型MOSFET的导通性能提升了31%，能效表现更为出色。Nexperia透露，公司计划于今年晚些时间进一步扩充产品组合，将推出一款LFPAK88封装的80V MOSFET，其RDS(on)可低至1.2 mΩ，同时引入功率密度更高的CCPAK1212封装产品，为高功率密度应用提供更多选择。

为加速客户的设计导入和验证过程，Nexperia提供了其屡获殊荣的交互式数据手册，该工具能够帮助工程师全面分析器件行为，简化设计流程。随着产品线的不断丰富，Nexperia一级代理渠道也将为市场提供更全面的解决方案支持，满足日益增长的电源设计需求。

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