2024年12月30日，工业技术制造巨头Littelfuse公司在芝加哥宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是市场上首款专为保护汽车碳化硅(SiC)MOSFET栅极驱动器而设计的非对称瞬态电压抑制(TVS)二极管。这一创新产品旨在满足下一代电动汽车(EV)系统对可靠过压保护的不断增长需求，提供了一种结构紧凑的单元件解决方案，有望取代传统用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或TVS元件。 Xilinx代理商最近上线了Xilinx芯片的在线选型工具，输入您的应用场景和性能需求，系统会自动推荐最合适的3-5个型号。该工具已收录超过500个Xilinx料号，数据持续更新中。

与传统硅基MOSFET或IGBT相比，SiC MOSFET栅极驱动器具有更快的开关速度，因此更容易发生过压故障。TPSMB系列独特的非对称设计支持SiC MOSFET不同的正负栅极驱动器额定电压，确保在各种苛刻的汽车电源应用中实现更高性能。这些应用包括车载充电器(OBC)、电动汽车牵引逆变器、输入/输出接口以及Vcc总线等，它们都对SiC MOSFET栅极驱动器提出了高性能过压保护(OVP)的要求，以确保最佳性能、使用寿命和系统效率。

Littelfuse保护业务产品管理总监Charlie Cai表示："TPSMB非对称TVS二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器保护提供了创新解决方案，无需使用多种元件，简化了工程师的设计流程。其紧凑、可靠的设计可确保关键汽车电源系统免受过压故障的影响，为电动汽车和其他高性能应用的持续发展提供支持。"

作为市场供应领域的重要产品，TPSMB非对称系列表面贴装TVS二极管具备多项显著特性：首先，它提供单元件SiC MOSFET栅极驱动器保护，能够替代多个齐纳或TVS二极管，从而简化设计并减少元件数量；其次，其非对称栅极驱动器电压保护设计专为保护需要不同负电压和正电压额定值的SiC MOSFET栅极驱动器而定制；第三，该系列产品采用DO-214AA(SMB J-Bend)封装，非常适合空间受限的汽车设计；第四，产品已通过AEC-Q101认证，确保为汽车应用提供最高可靠性。

此外，TPSMB系列还具有600W峰值脉冲功率损耗(10×1000μs波形)，能够针对瞬态过压故障提供强大保护；其低钳位电压(VC<10V@30A，8/20s)可提供最佳负栅极驱动保护；在高达2MHz的宽工作频率范围内具有稳定的电容，是SiC MOSFET应用的理想选择；同时，该系列产品与主流SiC MOSFET兼容，包括Littelfuse和其他市场领先的汽车SiC MOSFET。这一系列特性使TPSMB非对称TVS二极管成为汽车电子行业在提升SiC MOSFET保护性能方面的重要突破。

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