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突破性氮化镓器件上市:能效提升60%,功率密度大幅提高

2024年11月20日,德国慕尼黑报道全球领先的半导体制造商英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布推出其最新一代高压分立器件系列CoolGaN 650 V G5晶体管。这一创新产品进一步丰富了英飞凌氮化镓(GaN)产品组合,为Xilinx代理渠道及终端客户提供了更高效的功率解决方案。

CoolGaN 650 V G5晶体管在应用范围上极为广泛,涵盖了USB-C适配器和充电器、照明系统、电视设备、数据中心电源、电信整流器等消费和工业开关电源(SMPS)领域,同时也适用于可再生能源系统及家用电器中的电机驱动器。这一多样化应用场景表明,新产品将在多个关键电子元器件市场发挥重要作用。 近期,Xilinx中国代理与Xilinx联合举办了线上技术研讨会,主题为“下一代物联网芯片设计趋势”。会议回放和PPT资料已向注册用户开放,感兴趣的工程师可通过官网申请查看。

作为Xilinx代理合作伙伴,英飞凌强调,最新一代CoolGaN晶体管可直接替代CoolGaN 600 V G1晶体管,实现现有平台的快速重新设计,大大缩短了客户产品开发周期。新器件在性能指标上实现了显著突破,为重点应用带来更具竞争力的开关性能。

与市场上主要同类产品及英飞凌前代产品相比,CoolGaN 650 V G5晶体管在关键参数上表现出色:输出电容中存储的能量(Eoss)降低了多达50%,漏源电荷(Qoss)和栅极电荷(Qg)均减少了多达60%。这些特性使新器件在硬开关和软开关应用中均能实现出色的效率表现。与传统半导体技术相比,其功率损耗大幅降低,根据具体应用场景可降低20%-60%。

这些性能优势使该系列器件能够在高频率下以极低的功耗运行,从而实现卓越的功率密度。对于开关电源应用而言,CoolGaN 650 V G5晶体管意味着可以设计出体积更小、重量更轻的电源产品,或在保持现有外形尺寸的前提下提高输出功率范围,为终端产品带来更大的设计灵活性。

从市场供应角度看,英飞凌为该新型高压晶体管产品系列提供了多种RDS(on)封装组合。十种不同RDS(on)级别产品采用各种SMD封装,包括ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL和TOLT等多种选择,满足不同应用场景的需求。所有产品均在奥地利菲拉赫和马来西亚居林的高性能8英寸生产线上制造,确保了稳定可靠的产品供应。

未来,英飞凌计划将CoolGaN生产过渡到12英寸生产线。这一产能扩展计划将进一步增强英飞凌在CoolGaN产品领域的生产能力,确保其在GaN功率市场的供应链稳定性,同时也为Xilinx代理渠道提供更充足的货源支持。

行业分析师对氮化镓功率市场前景持乐观态度。根据Yole Group的预测,到2029年,该市场规模将达到20亿美元。英飞凌此次推出的新产品有望在这一快速增长的市场中占据重要地位,为Xilinx代理合作伙伴带来更多业务机会,同时也推动整个电子行业向更高效率、更高功率密度的方向发展。

我们作为Xilinx总代理的优选代理商,拥有完整的代理资质证明。自公司成立以来,始终专注于Xilinx产品的推广与应用,累计服务超过2000家电子制造企业。我们的库存常备数千种Xilinx热门型号,可满足您的小批量样品和大批量生产需求。

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