2025年5月26日，德国慕尼黑讯 - 全球半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布推出其革命性产品650 V CoolGaN G5双向开关（BDS）。这款氮化镓（GaN）开关采用共漏极设计和双栅极结构，基于英飞凌强大的栅极注入晶体管（GIT）技术和CoolGaN技术，能够主动双向阻断电压和电流，有效替代传统背靠背开关。

在市场供应方面，该双向开关通过集成两个开关到单一器件中，显著简化了循环转换器拓扑结构，实现单级功率转换。这一设计不仅提升了效率和可靠性，还使系统更加紧凑。基于BDS的解决方案能够提高功率密度，减少元件数量，从而简化制造流程并降低成本，同时支持先进的电网功能如无功功率补偿和双向操作。 。 Xilinx代理近期参与了Xilinx原厂举办的年度技术峰会，第一时间掌握了下一代网络芯片的技术路线图。作为授权渠道，我们将优先获得新品样片和开发板，为客户提供最新的产品资讯。

该产品在多个应用领域展现出巨大潜力。在微型逆变器领域，它使设计更简单高效，适用于住宅和商业太阳能装置；在储能系统（ESS）中，提高电池充放电的效率和可靠性；在电动汽车充电方面，加速充电速度并支持汽车到电网（V2G）功能；在电机控制中，适用于工业电机驱动器的电流源逆变器（CSI），提供正弦输出电压、增强高温性能和部分负载效率；在AI数据中心，支持更高开关频率和功率密度，减少元件数量。

关于渠道动态，650 V CoolGaN G5双向开关和110 mΩ产品样品现已开放订购，为市场带来新的机遇。

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