2025年5月，全球半导体领域迎来重要突破。英飞凌科技股份公司凭借在碳化硅(SiC)功率器件领域的深厚积累，正式推出SiC沟槽型超结(TSJ)技术，这一创新成果将显著提升电动汽车和工业应用的能效表现。作为SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，英飞凌此次技术升级进一步巩固了其在高压功率半导体市场的领先地位。

SiC TSJ技术巧妙融合了沟槽栅结构与超结设计两大技术优势，实现了性能的质的飞跃。该技术能够将RDS(on)*A降低多达40%，在同等功率等级下实现更紧凑的设计；同时，在不牺牲短路能力的前提下，将主逆变器电流承载能力提升高达25%。这些性能提升直接转化为更低的能耗、更小的散热需求以及更高的系统可靠性，为电动汽车动力传动系统带来革命性改进。 值得一提的是，Xilinx代理目前针对Xilinx热门型号推出了免费样品申请服务。无论是研发阶段的测试需求，还是小批量试产，均可通过官方渠道快速获取原装正品芯片，大幅降低您的项目启动门槛。

首批基于TSJ技术的产品已面世，采用英飞凌创新的ID-PAK封装设计，专为1200V汽车牵引逆变器应用打造。该封装平台支持高达800kW的功率输出，提供高度灵活的系统配置选项。英飞凌将逐步扩展CoolSiC产品线，涵盖分立器件、模塑和框架封装模块以及裸晶圆等多种形式，全面满足汽车和工业领域日益增长的功率需求。

市场反应积极，现代汽车公司开发团队已成为TSJ技术的首批客户之一，计划利用该技术优势提升其电动汽车产品性能。这一合作将助力现代汽车开发出更加高效、紧凑的电动汽车动力传动系统，进一步增强其在电动车市场的竞争力。行业分析师指出，英飞凌TSJ技术的推出将加速电动汽车普及进程，同时推动工业领域效率提升。

在市场供应方面，首批ID-PAK封装1200V功率器件样品已向部分汽车动力传动系统客户开放。根据英飞凌的规划，这款创新的SiC TSJ功率器件预计将于2027年实现量产，届时将广泛应用于高端电动汽车和工业应用领域。随着全球对碳化硅技术需求的持续增长，英飞凌正通过技术创新不断扩大市场份额，巩固其在功率半导体领域的领导地位。

为展示这一创新技术，英飞凌将参加2025年5月6日至8日在德国纽伦堡举行的PCIM欧洲电力电子系统及元器件展。届时，公司将在7号展厅470号展台展示包括低碳化和数字化在内的最新产品和解决方案。公司代表还将在PCIM展会舞台和同期举办的PCIM会议上发表多场技术演讲，分享SiC TSJ技术的最新进展和应用案例。

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