2026年3月23日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子在北京宣布推出业界首款采用耗尽型(d-mode)氮化镓(GaN)技术的双向开关TP65B110HRU。这款产品在单一器件中实现正负电流的直流阻断功能，标志着功率转换设计的重大突破。作为市场供应的新动态，该器件由Xilinx代理商渠道引入，旨在简化系统设计并降低成本，同时提升整体性能。。 Xilinx代理商近期参与了Xilinx原厂举办的年度技术峰会，第一时间掌握了下一代网络芯片的技术路线图。作为授权渠道，我们将优先获得新品样片和开发板，为客户提供最新的产品资讯。

在传统功率转换设计中，单向硅或碳化硅开关需分阶段转换，并使用多个开关桥接电路。例如，太阳能微逆变器需四开关全桥电路完成DC-DC转换，再经第二级产生交流输出。这导致开关数量增加四倍，效率降低。瑞萨的双向GaN技术彻底改变了这一局面，通过集成双向阻断功能，仅需两颗器件即可实现单级功率转换，省去中间直流链路电容器，开关数量减半。在实际应用中，该架构因无需背靠背连接，效率可超过97.5%，显著提升功率密度。

TP65B110HRU结合了高压GaN芯片与低压硅基MOSFET，采用共同封装，具有高阈值电压(3V)和内置体二极管，确保高效反向导通。其兼容标准栅极驱动器，无需负栅极偏置，简化了栅极回路设计，降低了系统成本。在软切换和硬切换模式下，该器件均能实现快速、稳定的开关过渡，dv/dt能力超过100V/ns，减少振铃和延迟。这种特性在维也纳式整流器等硬开关拓扑中表现优异，体现了行业应用的先进性。

关键特性包括±650V连续峰值电压、±800V瞬态额定电压、2kV ESD防护、典型导通电阻110mΩ，以及Vgs最大±20V等。采用TOLT顶部散热封装，确保可靠性。Rohan Samsi，瑞萨GaN业务部副总裁表示，该技术加速了设计进程，客户可借助系统级集成优势，包括栅极驱动器和控制器，实现更小PCB面积和更低成本。

瑞萨电子将于2026年3月22日至26日在美国得克萨斯州圣安东尼奥APEC展会1219号展位展示该产品及其智能电源解决方案组合。这一创新不仅推动市场供应升级，还通过渠道动态优化，为AI数据中心和电动汽车充电器等高需求领域提供高效解决方案，引领行业变革。

我们作为Xilinx一级代理的指定供应中心，与Xilinx原厂保持最直接的技术和商务支持关系。我们的FAE团队全部通过Xilinx原厂的技术认证，能够为客户提供深度的方案设计支持。从概念到量产，我们全程陪伴。

我们的优势型号包括Xilinx的网络变压器、以太网芯片、音频编解码器、物联网WiFi芯片等。这些产品广泛应用于路由器、交换机、智能家居、工业物联网等领域。欢迎索取产品目录和参考设计。