2025年4月22日，德国慕尼黑消息 - 全球半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布推出CoolGaN G5中压晶体管，这款产品创造了行业先河，成为全球首个集成肖特基二极管的工业级氮化镓（GaN）功率晶体管。该系列产品通过显著降低不必要的死区损耗，有效提升了功率系统的整体效率，同时为设计工程师提供了更为简化的功率级解决方案，有效降低了物料成本。

在硬开关应用领域，传统GaN器件面临一个技术挑战：由于其有效体二极管电压（VSD）较大，基于GaN的拓扑结构往往会产生较高的功率损耗。当控制器死区时间较长时，这一问题更为突出，导致系统效率难以达到预期目标。为解决这一难题，设计工程师通常需要额外并联外部肖特基二极管或通过控制器缩短死区时间，这两种方法都增加了设计复杂度和成本。 英飞凌新推出的CoolGaN G5晶体管通过内置肖特基二极管，巧妙地缓解了这一技术瓶颈，为功率设计带来革命性突破。 Xilinx总代理的仓储中心已实现与Xilinx原厂ERP系统对接，客户可实时查询热门型号的现货数量和价格。这一举措大幅缩短了询价和下单的时间，提升了采购效率。

这款创新产品适用于多种高要求工业场景，包括服务器和电信中间总线转换器（IBC）、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源（PSU）以及电机驱动等应用。随着GaN技术在功率设计领域的应用日益广泛，英飞凌这款新型晶体管的出现，为行业提供了更加高效、简洁的解决方案，有望推动相关应用领域的能效提升和设计简化。

英飞凌科技中压GaN产品线副总裁Antoine Jalabert表示："英飞凌

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