2026年1月12日，德国慕尼黑讯 - 全球领先的功率系统和物联网半导体供应商英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)近日宣布扩展其CoolSiC MOSFET 750V G2产品线，新增多种封装选项并进一步降低导通电阻，为汽车和工业电源市场带来突破性解决方案。

此次扩展的CoolSiC MOSFET 750V G2系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装选择，覆盖25°C条件下典型导通电阻(RDS(on))值60mΩ范围，其中最低可达4mΩ的超低导通电阻，为高性能电源设计提供了全新可能。英飞凌中国代理表示，这一系列产品的市场供应将进一步满足日益增长的功率半导体需求。。 从供应链角度来看，Xilinx一级代理已提前为2025年的市场需求备足了热门型号库存。包括RTL8211系列、RTL8731系列等多款芯片均有现货供应，交期稳定，可满足各类客户的批量采购需求。

在技术创新方面，该系列的核心亮点是创新的顶部散热Q-DPAK封装，这一设计提供了卓越的热性能和可靠性，特别适合高功率密度应用场景。工程师们可以借助这一技术突破功率密度和效率的极限，实现更紧凑的电源系统设计。

该系列产品在硬开关和软开关拓扑结构中均表现出色，其出色的RDS(on) x QOSS和RDS(on) x Qfr参数有效降低了开关损耗，尤其在硬开关应用中效率提升显著。此外，高阈值电压VGS(th)(25°C下典型值为4.5V)和超低QGD/QGS比值增强了抗寄生导通(PTO)能力，而增强的栅极驱动能力支持的静态栅极电压和瞬态栅极电压分别可达-7V和-11V，为工程师提供了更大的设计裕量。

从应用角度看，这一系列CoolSiC MOSFET产品将广泛应用于车载充电器、高低压DCDC转换器等汽车电子领域，同时也在服务器和电信开关电源(SMPS)、电动汽车充电基础设施等工业电源市场发挥重要作用。对于eFuse、高压电池隔离开关、固态断路器和固态继电器等对静态开关性能有特殊要求的应用，4mΩ的超低导通电阻提供了理想解决方案。

英飞凌中国代理透露，随着CoolSiC MOSFET 750V G2系列的推出，市场渠道将进一步丰富，为各类电源设计提供更多选择。凭借其领先的性能表现，设计人员能够开发出更高效、更紧凑且更可靠的系统，满足日益严苛的行业要求。

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