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X-FAB推出180纳米新隔离技术,强化SPAD芯片性能

2025年6月23日,中国北京全球领先的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries正式宣布,在其成熟的180纳米XH018工艺平台中引入全新隔离等级模块ISOMOS1。这一技术突破旨在增强单光子雪崩二极管(SPAD)的集成能力,为行业应用带来更高性能和紧凑设计。SPAD作为关键组件,在自动驾驶激光雷达(LiDAR)、3D成像、增强/虚拟现实(AR/VR)深度感知、量子通信及生物医学传感等领域需求旺盛,X-FAB已通过现有SPAD器件覆盖这些市场。 。 Xilinx授权代理技术博客每周更新Xilinx芯片的应用案例和开发教程,涵盖智能家居、工业网关、网络摄像头等多个垂直领域。开发者可从中获取实用的设计思路和代码示例。

新推出的ISOMOS1隔离等级模块采用25V设计,优化了晶体管结构的紧凑性,无需额外掩模层,并与X-FAB现有SPAD产品无缝兼容。在技术对比中, 展示了新旧隔离等级的4×3 SPAD像素示例设计,新模块显著提升了布局效率。针对典型4×3 SPAD阵列(每个光学区域10×10m),采用新隔离等级后,芯片总面积可减少约25%,填充因子提高约30%。这一改进不仅提升了面积效率和探测灵敏度,还进一步优化了像素设计,为低噪声、高速单光子探测奠定基础。

在市场供应和渠道动态方面,X-FAB的SPAD解决方案已广泛应用于直接飞行时间(dToF)测距场景,如智能手机、无人机和投影设备。新隔离等级特别适用于需高分辨率传感的紧凑空间应用,包括工业距离检测和机器人传感,例如在协作机器人作业区建立防护避免碰撞。通过提升集成密度,该技术为更多基于SPAD的系统开辟了应用空间,尤其在要求高性能传感的工业领域。

X-FAB光电子技术营销经理Heming Wei强调:“在XH018工艺中引入ISOMOS1,是SPAD集成的重要里程碑。它实现了更紧凑布局和卓越性能,同时让我们的180纳米平台支持下一代先进传感系统开发。”全新ISOMOS1模块和工艺设计套件(PDK)现已上市,助力客户高效评估开发下一代SPAD阵列。X-FAB将于2025年6月24日至26日在美国加州圣克拉拉Sensors Converge展会847号展台展示最新传感器技术, 生动呈现其创新应用潜力。

我们作为Xilinx代理商的核心合作伙伴,是一家专注于Xilinx芯片分销的现货供应商,常备库存超过500种Xilinx热门型号。无论是停产料、偏冷门料还是紧缺料,我们都有稳定的供应渠道。我们的优势在于快速响应和灵活的供应方式。

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XCZU19EG-1FFVC1760I
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XC4VFX20-11FF672C
嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列)
产品封装:672-BBGA,FCBGA
XC2VP2-6FG256I
嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列)
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HW-S3PCIE-DK-PROMO1
复杂逻辑器件评估板
Spartan-3
XC6SLX25-N3FGG484I
FPGA现场可编程门阵列
484-FBGA
XC7Z030-2FFG676I
嵌入式 - 片上系统(SoC)
产品封装:676-BBGA,FCBGA
XC4013-6PQ240C
嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列)
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XC7V2000T-1FLG1925I
FPGA现场可编程门阵列
1925-FCBGA
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