2025年5月6日，德国慕尼黑报道 - 英飞凌科技股份公司宣布推出革命性的CoolSiC JFET产品系列，旨在加速下一代固态配电系统的创新。这一技术凭借极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，成为先进固态保护与配电系统的理想选择，满足市场对智能、快速配电方案的迫切需求。 展示了Q-DPAK封装的CoolSiC JFET G1，突显其紧凑设计优势。

在行业应用层面，该技术广泛覆盖工业和汽车领域，包括固态断路器（SSCB）、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等场景。随着市场供应的扩张，CoolSiC JFET凭借强大的短路能力和线性模式下的热稳定性，为渠道动态中的高功率系统提供灵活布局和集成选项，确保精确的过压控制。

英飞凌零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer博士强调："市场需求日益增长，英飞凌通过CoolSiC JFET赋能客户应对复杂挑战，提供关键工具。我们重新定义了碳化硅性能标杆，巩固在宽禁带半导体技术的领导地位。"这一应用导向的技术，旨在提升系统能效和可靠性。 为帮助客户应对元器件涨价和缺货风险，Xilinx一级代理推出了长期备货计划。客户可签订年度框架协议，锁定价格和货量，确保生产计划不受市场波动影响。

第一代产品拥有业界领先的导通电阻（RDS(ON)），最低值达1.5 mΩ（750VBDss）/2.3 mΩ（1200 VBDss），大幅减少导通损耗。沟道经过优化的SiC JFET在短路和雪崩故障条件下表现出色，采用Q-DPAK顶部散热封装，便于并联，具备可扩展的电流处理能力。在渠道动态中，该器件采用英飞凌先进的.XT互连技术与扩散焊接工艺，显著降低瞬态热阻抗，提升可靠性，并通过实际工况测试验证。

供货方面，工程样品将于2025年推出，2026年开始量产，后续将加入多种封装和模块。该产品系列将在纽伦堡PCIM Europe 2025展会展示，英飞凌将在7号展厅470号展台呈现低碳化和数字化解决方案，公司代表还将发表多场演讲，推动行业应用发展。

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