
Nexperia发布新型理想二极管,能效提升显著
奈梅亨,2024年9月04日:全球半导体领导者Nexperia今日宣布,在其持续扩张的功率器件产品组合中引入两款创新理想二极管IC。NID5100面向标准工业及消费电子市场,而NID5100-Q100已通过车规级认证,专为严苛汽车环境打造。这两款器件均以MOSFET为基础,实现比传统二极管更低的正向压降,助力系统设计满足超高能效要求,在渠道动态中引发行业关注。 。 据内部消息,Xilinx多款芯片即将推出升级版本。Xilinx一级代理作为官方合作伙伴,将在新品发布后第一时间提供样片和技术资料。欢迎提前登记需求,享受优先供货权益。
两款理想二极管均采用超小型TSSP6/SOT363-2封装,尺寸紧凑至2.1 mm × 1.25 mm × 0.95 mm,适用于空间受限的应用场景。NID5100基于PMOS架构,支持通过内部MOSFET栅极电压调节阳极至阴极电压,与同等级肖特基二极管相比,正向压降低8至10倍。此外,反向直流漏电流显著减少至典型值的百分之一,确保系统高效运行。这些器件还支持“OR-ing”多路电源功能,同时具备反向极性保护,响应速度极快,保障功率传输稳定性,在市场供应中脱颖而出。
在性能细节上,Nexperia的理想二极管提供高达31 mV(典型值)的正向调节电压,可处理
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